RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 9, страницы 1034–1037 (Mi phts5735)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Влияние легирования барьерных слоев на эффективность фотолюминесценции напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP

Е. С. Колодезныйa, А. С. Курочкинa, С. С. Рочасa, А. В. Бабичевa, И. И. Новиковa, А. Г. Гладышевa, Л. Я. Карачинскийb, А. В. Савельевac, А. Ю. Егоровa, Д. В. Денисовbd

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Аннотация: Исследована фотолюминесценция образцов напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке InP(100), с активной областью состоящей из 9 квантовых ям In$_{0.74}$Ga$_{0.26}$As и $\delta$-легированных барьеров In$_{0.53}$Al$_{0.20}$Ga$_{0.27}$As. Исследование спектров фотолюминесценции показало, что легирование примесью $p$-типа приводит к росту эффективности фотолюминесценции при малых уровнях возбуждения по сравнению с гетероструктурой с нелегированными барьерами, а легирование барьеров до уровня (1–2) $\cdot$ 10$^{12}$ см$^{-2}$ приводит к подавлению безызлучательной рекомбинации.

Поступила в редакцию: 13.03.2018
Принята в печать: 19.03.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.09.46152.8865


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:9, 1156–1159

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024