RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 9, страницы 1038–1040 (Mi phts5736)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Низкочастотная диэлектрическая релаксация в стеклообразной системе Ge$_{28.5}$Рb$_{15}$S$_{56.5}$ с примесью железа

Р. А. Кастроa, Г. И. Грабкоb, А. А. Кононовa

a Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
b Забайкальский государственный университет, г. Чита

Аннотация: Приведены результаты исследования процессов диэлектрической релаксации в стеклообразной системе Ge$_{28.5}$Рb$_{15}$S$_{56.5}$. Введение примеси железа в матрицу стекла приводит к резкому увеличению значения диэлектрической проницаемости $\varepsilon'$ и уменьшению величины диэлектрических потерь $\operatorname{tg}\delta$. Обнаруженные закономерности объясняются в рамках кластерной модели структуры (двухфазной модели) легированного стекла.

Поступила в редакцию: 11.12.2017
Принята в печать: 31.01.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.09.46282.8795


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:9, 1160–1162

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024