RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 9, страницы 1041–1048 (Mi phts5737)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Влияние режимов электрохимического травления на морфологию, структурные и оптические свойства пористого арсенида галлия

П. В. Серединa, А. С. Леньшинa, А. В. Федюкинa, Д. Л. Голощаповa, А. Н. Лукинa, И. Н. Арсентьевb, А. В. Жаботинскийb

a Воронежский государственный университет
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методами рентгеновской дифракции, электронной микроскопии, инфракрасной и ультрафиолетовой спектроскопии в работе изучены свойства образцов пористого GaAs, полученного методом электрохимического травления монокристаллических пластин $n$-GaAs(100). Удалось показать, что подбором состава электролита и условий травления могут быть получены образцы не только с различной степенью пористости и размером пор (нано/микро), но и иным типом поверхности образца. Травление $n$-GaAs(100) в выбранных условиях не приводит к изменению ориентации пористого слоя относительно ориентации монокристаллической подложки GaAs(100), ведет к уменьшению полуширины дифракционного максимума по сравнению с исходной пластиной, приводит к расщеплению фононной моды в инфракрасных спектрах и частотному сдвигу компонент с учетом параметров анодного травления, а также меняет оптические свойства в ультрафиолетовом диапазоне.

Поступила в редакцию: 05.06.2017
Принята в печать: 27.11.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.09.46231.8659


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:9, 1163–1170

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024