Аннотация:
Методами рентгеновской дифракции, электронной микроскопии, инфракрасной и ультрафиолетовой спектроскопии в работе изучены свойства образцов пористого GaAs, полученного методом электрохимического травления монокристаллических пластин $n$-GaAs(100). Удалось показать, что подбором состава электролита и условий травления могут быть получены образцы не только с различной степенью пористости и размером пор (нано/микро), но и иным типом поверхности образца. Травление $n$-GaAs(100) в выбранных условиях не приводит к изменению ориентации пористого слоя относительно ориентации монокристаллической подложки GaAs(100), ведет к уменьшению полуширины дифракционного максимума по сравнению с исходной пластиной, приводит к расщеплению фононной моды в инфракрасных спектрах и частотному сдвигу компонент с учетом параметров анодного травления, а также меняет оптические свойства в ультрафиолетовом диапазоне.
Поступила в редакцию: 05.06.2017 Принята в печать: 27.11.2017