RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 9, страницы 1049–1055 (Mi phts5738)

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Электрические свойства и энергетические параметры гетеропереходов $n$-FeS$_{2}$/$p$-Cd$_{1-x}$Zn$_{x}$Te

И. Г. Орлецкий, М. И. Илащук, М. Н. Солован, П. Д. Марьянчук, О. А. Парфенюк, Э. В. Майструк, С. В. Ничий

Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича

Аннотация: Исследованы условия изготовления гетеропереходов $n$-FeS$_{2}$/$p$-Cd$_{1-x}$Zn$_{x}$Te методом спрей-пиролиза тонких пленок пирита на кристаллические подложки $p$-Cd$_{1-x}$Zn$_{x}$Te. На основе комплексного анализа вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик установлено ограничение обратного тока областью пространственного заряда при малых обратных смещениях и проанализированы механизмы токообразования с участием энергетических уровней в области гетероперехода. Предложена модель энергетического профиля гетероперехода $n$-FeS$_{2}$/$p$-Cd$_{1-x}$Zn$_{x}$Te, которая хорошо коррелирует с экспериментально определенными параметрами и динамикой их изменения с температурой.

Поступила в редакцию: 24.10.2017
Принята в печать: 01.11.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.09.46153.8754


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:9, 1171–1177

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024