Аннотация:
Исследованы условия изготовления гетеропереходов $n$-FeS$_{2}$/$p$-Cd$_{1-x}$Zn$_{x}$Te методом спрей-пиролиза тонких пленок пирита на кристаллические подложки $p$-Cd$_{1-x}$Zn$_{x}$Te. На основе комплексного анализа вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик установлено ограничение обратного тока областью пространственного заряда при малых обратных смещениях и проанализированы механизмы токообразования с участием энергетических уровней в области гетероперехода. Предложена модель энергетического профиля гетероперехода $n$-FeS$_{2}$/$p$-Cd$_{1-x}$Zn$_{x}$Te, которая хорошо коррелирует с экспериментально определенными параметрами и динамикой их изменения с температурой.
Поступила в редакцию: 24.10.2017 Принята в печать: 01.11.2017