RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 9, страницы 1071–1075 (Mi phts5741)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Транспорт и фоточувствительность в структурах: композитный слой из наночастиц кремния и золота на $p$-Si

М. П. Тепляковa, О. С. Кенb, Д. Н. Горячевb, О. М. Среселиb

a Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследованы температурные зависимости вольт-амперных характеристик и фоточувствительности структур из композитных слоев наночастиц кремния и золота на монокристаллическом кремнии $p$-типа проводимости. Определены механизмы переноса тока в структурах и их влияние на фоточувствительность структур с разным количеством золота в композитном слое.

Поступила в редакцию: 26.02.2018
Принята в печать: 12.03.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.09.46232.8852


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:9, 1193–1197

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024