RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 9, страницы 1100–1103 (Mi phts5745)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Снижение порога генерации с помощью легирования в лазерах среднего инфракрасного диапазона на основе HgCdTe с квантовыми ямами HgTe

А. А. Дубиновab, В. Я. Алешкинab, С. В. Морозовab

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Предложена и проанализирована возможность значительного снижения порога межзонной генерации в лазерных структурах среднего инфракрасного диапазона на основе HgCdTe с квантовыми ямами HgTe с помощью легирования донорами путем введения $\delta$-слоев, расположенных вблизи квантовых ям. Показано, что при оптимальной поверхностной концентрации доноров в $\delta$-слое 4 $\cdot$ 10$^{10}$ см$^{-2}$ и рабочей температуре $>$ 40 K возможно снижение порога лазерной генерации на длине волны 20 мкм более чем в 2 раза.

Поступила в редакцию: 30.01.2018
Принята в печать: 20.02.2018

DOI: 10.21883/FTP.2018.09.46159.8833


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:9, 1221–1224

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024