RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 8, страницы 847–852 (Mi phts5752)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электронные свойства полупроводников

Осцилляции микроволнового магнитопоглощения в кристаллах HgSe с примесью Fe

А. И. Вейнгерa, И. В. Кочманa, В. И. Окуловb, М. Д. Андрийчукc, Л. Д. Паранчичc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
c Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича

Аннотация: Рассмотрены осцилляции магнитосопротивления при поглощении микроволнового излучения в образцах HgSe с различной концентрацией примеси Fe. Из совместного анализа полевых и температурных зависимостей осцилляций Шубникова–де-Гааза были определены эффективная масса, температура Дингла и поле квантового предела, соответствующего уровню Ферми. Предложен способ анализа спектров при наличии нескольких частот осцилляций – эффект “биения”. Результаты сравнивались с данными, полученными из измерений на постоянном токе.

Поступила в редакцию: 07.12.2017
Принята в печать: 15.12.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.08.46208.8793


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:8, 980–985

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024