RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 8, страницы 853–859 (Mi phts5753)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

О рекомбинационных процессах в пленках CdS–PbS

А. Г. Роках, М. И. Шишкин, В. С. Аткин

Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского

Аннотация: Исследовалась поперечная и продольная фотопроводимость, фото- и катодолюминесценция сублимированных пленок CdS(0.9)–PbS(0.1) при комнатной температуре и охлаждении, показана роль включений узкозонной фазы в рассмотренных процессах. Возбуждение производилось как по всей активной поверхности пленки, так и “точечно” (в пределах одного кристаллита). Выполнена оценка скорости поверхностной рекомбинации и времени жизни основных носителей заряда при разной скорости генерации и характере их возбуждения. Дается сравнительная таблица рекомбинационных свойств пленок CdS и CdS-PbS.

Поступила в редакцию: 12.07.2017
Принята в печать: 05.09.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.08.46209.8687


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:8, 986–992

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024