Влияние изотропного давления на вольт-амперную характеристику поверхностно-барьерных диодов Sb–$p$-Si$\langle$Mn$\rangle$–Au

Исследовано влияние гидростатического давления на вольт-амперные характеристики поверхностно-барьерных диодных структур типа Sb–$p$-Si$\langle$Mn$\rangle$–Au. Определена высота потенциального барьера ($e\varphi_\delta$ = 0.75 эВ) и барический коэффициент ее изменения ($\delta$ = -1.54 $\cdot$ 10$^{-11}$ эВ/Па).