RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 2, страницы 321–324 (Mi phts576)

Краткие сообщения

Влияние одноосного давления на нестационарную емкостную спектроскопию глубоких уровней в Si$\langle$Zn$\rangle$

А. А. Лебедев, Н. А. Султанов, В. Экке




© МИАН, 2025