RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1987
, том 21,
выпуск 2,
страницы
321–324
(Mi phts576)
Краткие сообщения
Влияние одноосного давления на нестационарную емкостную спектроскопию глубоких уровней в Si
$\langle$
Zn
$\rangle$
А. А. Лебедев
, Н. А. Султанов
, В. Экке
Полный текст:
PDF файл (549 kB)
©
МИАН
, 2025