RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 8, страницы 921–925 (Mi phts5764)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Динамика изменения фотолюминесценции пористого кремния после гамма-облучения

М. А. Елистратоваa, Д. С. Полоскинa, Д. Н. Горячевa, И. Б. Захароваb, О. М. Среселиa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

Аннотация: Представлены результаты исследования реадиационной стабильности нанопористого кремния в условиях $\gamma$-облучения. Изменения, происходящие в структуре пористого кремния под действием $\gamma$-облучения, регистрировались с помощью спектров фотолюминесценции и фурье-спектров пропускания в инфракрасной области. Было показано, что помимо появления точечных дефектов и последующего окисления наблюдаются существенные отличия в поведении свойств пористого кремния по сравнению с объемным кремнием, обусловленные квантово-размерной природой нанопористого кремния.

Поступила в редакцию: 21.12.2017
Принята в печать: 25.12.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.08.46220.8807


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:8, 1051–1055

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024