RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 8, страницы 939–943 (Mi phts5767)

Физика полупроводниковых приборов

Модуляция заряда германиевых МДП-структур с фторсодержащими диэлектриками

М. Б. Шалимова

Самарский национальный исследовательский университет

Аннотация: В МДП-структурах на основе германия $n$-типа формировался диэлектрический слой из ErF$_{3}$, YF$_{3}$, NdF$_{3}$ и TmF$_{3}$. Показано, что отрицательный эффективный заряд в данных германиевых МДП-структурах не наблюдается, а деградация электрических характеристик и рост плотности поверхностных состояний приводят к увеличению положительного заряда. Положительный заряд, создаваемый на границе раздела германий-фторид редкоземельного элемента, может компенсировать отрицательный заряд оборванных связей на поверхности германия, что потенциально перспективно для модуляции величины и знака заряда в МДП-устройствах на германии.

Поступила в редакцию: 28.09.2017
Принята в печать: 18.10.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.08.46223.8738


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:8, 1068–1071

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024