Изготовление $p$–$n$-переходов в графене и их применение для детектирования терагерцового излучения

Рассматривается новый способ формирования латеральных $p$–$n$-переходов в эпитаксиальном графене с помощью УФ излучения. Применение метода УФ засветки позволяет получить $p$–$n$-переходы большого размера, которые исследовались в режиме фототока и фотопроводимости при облучении терагерцовым излучением. Обсуждаются механизмы терагерцового фотоответа $p$–$n$-переходов в графене.