RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 8, страницы 958–962 (Mi phts5771)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Кристаллическая структура и ширина запрещенной зоны твердых растворов (MnIn$_{2}$S$_{4}$)$_{1-x}$ $\cdot$ (AgIn$_{5}$S$_{8}$)$_{x}$

И. В. Боднарь, Чан Бинь Тхан

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники

Аннотация: Методом Бриджмена впервые выращены монокристаллы твердых растворов (MnIn$_{2}$S$_{4}$)$_{1-x}$ $\cdot$ (AgIn$_{5}$S$_{8}$)$_{x}$ во всем интервале концентраций. Определен состав полученных монокристаллов и их кристаллическая структура. Показано, что твердые растворы кристаллизуются в кубической структуре шпинели. Рассчитан параметр элементарной ячейки монокристаллов $(a)$, и построена его концентрационная зависимость. Установлено, что $a$ с $x$ изменяется линейно. По спектрам пропускания в области края собственного поглощения определена ширина запрещенной зоны $(E_{g})$ соединений MnIn$_{2}$S$_{4}$, AgIn$_{5}$S$_{8}$ и твердых растворов (MnIn$_{2}$S$_{4}$)$_{1-x}$ $\cdot$ (AgIn$_{5}$S$_{8}$)$_{x}$, построена ее концентрационная зависимость. Установлено, что $E_{g}$ с $x$ изменяется нелинейно (с максимумом при $x$ = 0.4).

Поступила в редакцию: 11.05.2017
Принята в печать: 22.05.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.08.46227.8643


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:8, 1086–1090

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024