RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 7, страницы 712–717 (Mi phts5778)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Поперечный эффект Нернста–Эттингсгаузена в сверхрешетках при электрон-фононном рассеянии

С. Р. Фигароваa, Г. И. Гусейновb, В. Р. Фигаровc

a Бакинский государственный университет
b Азербайджанский университет архитектуры и строительства, Баку, Азербайджан
c Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан

Аннотация: Вычислен коэффициент Нернста–Эттингсгаузена в сверхрешетках с косинусоидальным законом дисперсии при рассеянии носителей тока на акустических и полярных оптических фононах в магнитном поле в плоскости слоя. Показано, что в слабом магнитном поле имеет место существенное увеличение коэффициента Нернста–Эттингсгаузена квазитрехмерного вырожденного электронного газа. При рассеянии на полярных оптических фононах коэффициент Нернста–Эттингсгаузена в сильном магнитном поле меняет знак.

Поступила в редакцию: 14.06.2017
Принята в печать: 17.10.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.07.46040.8669


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:7, 853–858

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024