RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 7, страницы 741–744 (Mi phts5783)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Фотоэлектрические свойства нитевидных кристаллов ZnO

П. С. Шкумбатюк

Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко

Аннотация: Исследованы фотоэлектрические свойства нитевидных кристаллов ZnO, полученных из газовой фазы испарением порошка и металлического Zn непрерывным действием излучения СО$_{2}$-лазера. На основании исследования баръерной структуры InO–ZnO предложен механизм фотопроводимости кристаллического ZnO, обусловленный потенциальными барьерами.

Поступила в редакцию: 07.03.2017
Принята в печать: 05.04.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.07.46045.8576


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:7, 881–884

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024