Исследование механизмов токопрохождения в гетероструктуре CdS/$por$-Si/$p$-Si

Исследована температурная зависимость прямых и обратных ветвей вольт-амперной характеристики, а также спектр фотоэдс полупроводниковой гетероструктуры CdS/$por$-Si/$p$-Si. Установлено, что механизмы токопрохождения определяются генерационно-рекомбинационными процессами в области пространственного заряда гетероперехода $por$-Si/$p$-Si, туннелированием носителей заряда в пленке $por$-Si и моделью токов, ограниченных пространственным зарядом. Предложен упрощенный вариант зонной диаграммы исследуемой гетероструктуры.