RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 7, страницы 763–767 (Mi phts5787)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Модификация спектров фотопроводимости в композитных структурах ZnO-квантовые точки CdSe под действием дополнительного фотовозбуждения

К. А. Дроздовa, И. В. Крыловa, А. С. Чижовb, М. Н. Румянцеваb, Л. И. Pябоваb, Д. Р. Хохловa

a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, химический факультет

Аннотация: Внедрение в пористую матрицу ZnO нанокристаллов CdSe приводит к сенсибилизации композита в видимом спектральном диапазоне. Измерение спектральных зависимостей фотопроводимости при варьируемой внешней подсветке показало, что они могут претерпевать обратимые изменения. Пoказано, что форма пика и положение локального максимума фотопроводимости, отвечающего нанокристаллам, зависят от спектрального распределения интенсивности падающего излучения. Обсуждаются механизмы, ответственные за процесс.

Поступила в редакцию: 06.12.2017
Принята в печать: 15.12.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.07.46049.8788


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:7, 902–906

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024