Аннотация:
В рамках кластерной модели эпитаксиального графена получено условие наведенного электрон-фононным взаимодействием графен-подложка и внешним электрическим полем скачкообразного изменения заряда адатомов углерода. Такой переход заряда приводит к соответствующим скачкам статической проводимости и работы выхода эпитаксиального графена. Численные оценки приведены для случая слабой связи квазисвободного графена c металлической и полупроводниковой подложками.
Поступила в редакцию: 19.09.2017 Принята в печать: 24.10.2017