RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 7, страницы 782–786 (Mi phts5790)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Углеродные системы

Влияние электрон-фононного взаимодействия на проводимость и работу выхода эпитаксиального графена

С. Ю. Давыдовab

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: В рамках кластерной модели эпитаксиального графена получено условие наведенного электрон-фононным взаимодействием графен-подложка и внешним электрическим полем скачкообразного изменения заряда адатомов углерода. Такой переход заряда приводит к соответствующим скачкам статической проводимости и работы выхода эпитаксиального графена. Численные оценки приведены для случая слабой связи квазисвободного графена c металлической и полупроводниковой подложками.

Поступила в редакцию: 19.09.2017
Принята в печать: 24.10.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.07.46052.8731


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:7, 921–925

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024