Исследование глубоких энергетических уровней в солнечном элементе типа HIT

Представлены результаты исследования солнечного элемента типа HIT Ag/ITO/$a$-Si:H$(p)$/$a$-Si:H$(i)$/$c$-Si$(n)$/$a$-Si:H$(i)$/$a$-Si:H($n^{+}$)/ITO/Ag методами вольт-фарадных характеристик и токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней. Исследованы температурная зависимость вольт-фарадных характеристик HIT-структуры и параметры глубоких энергетических уровней. Результаты комплексных исследований перечисленными методами были использованы для определения особенностей зонной диаграммы реальной HIT-структуры.