RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 7, страницы 812–815 (Mi phts5795)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Изготовление и исследование изорешеточной гетероструктуры для квантовых каскадных лазеров

В. В. Мамутинa, А. П. Васильевa, А. В. Лютецкийa, Н. Д. Ильинскаяa, Ю. М. Задирановa, А. Н. Софроновb, Д. А. Фирсовb, Л. Е. Воробьевb, Н. А. Малеевa, В. М. Устиновa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

Аннотация: Описано получение и исследование лазерных характеристик изорешеточной структуры квантового каскадного лазера на подложке фосфида индия, рассчитанного на длину волны $\sim$4.8 мкм, что соответствует одному из окон прозрачности атмосферы. Гетероструктура была выращена методом молекулярно-пучковой эпитаксии и состояла из тридцати каскадов. Экспериментально получена лазерная генерация при температурах до 200 K на длине волны, совпадающей с расчетной, что подтверждает высокое качество интерфейсов и высокую точность исполнения толщин и легирования активной области.

Поступила в редакцию: 06.12.2017
Принята в печать: 12.12.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.07.46057.8787


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:7, 950–953

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024