Электрофизические свойства нелегированных и легированных мышьяком эпитаксиальных слоев Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te $p$-типа проводимости с $x\approx$ 0.4, выращенных методом MOCVD

Исследованы температурные зависимости концентрации носителей заряда и времени жизни неосновных носителей заряда в нелегированных и легированных мышьяком эпитаксиальных слоях Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te $p$-типа проводимости c $x\approx$ 0.4, полученных методом MOCVD-IMP. Показано, что температурные зависимости концентрации носителей заряда могут быть описаны моделью, предполагающей наличие одного акцепторного и одного донорного уровней. Значения энергий ионизации акцепторов в нелегированном и легированном мышьяком материалax составили 14 и 3.6 мэВ соответственно. Установлено, что доминирующим механизмом рекомбинации в нелегированных слоях является рекомбинация Шокли–Рида–Холла, а после низкотемпературного равновесного отжига в парах ртути (230$^\circ$C, 24 ч) – излучательная рекомбинация. Фундаментальное ограничение времени жизни в легированном мышьяком материалe обусловлено оже-процессом 7. Активационный отжиг (360$^\circ$C, 2 ч) легированных слоев позволяет достичь 100%-й активации мышьяка.