RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 6, страницы 560–564 (Mi phts5801)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электронные свойства полупроводников

Структура мессбауэровских спектров примесных атомов $^{119m}$Sn в халькогенидах свинца в условиях радиоактивного равновесия изотопов $^{119m}$Te/$^{119}$Sn

Е. И. Теруковa, А. В. Марченкоb, П. П. Серегинb, Н. Н. Жуковb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии с материнскими изотопами $^{119m}$Te и $^{119}$Sb, находящимися в состоянии радиоактивного равновесия, в одном эксперименте получена информация о месте локализации и валентном состоянии дочерних атомов $^{119m}$Sn, образующихся из материнских атомов $^{119}$Sb и $^{119m}$Te в катионных и анионных узлах халькогенидов свинца (PbSe и PbTe).

Поступила в редакцию: 26.07.2017
Принята в печать: 12.09.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.06.45915.8650


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:6, 708–712

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024