Квантовые осцилляции релаксации фотопроводимости в $p$–$i$–$n$-гетеродиодах GaAs/InAs/AlAs

Исследована фотопроводимость и ее релаксационные характеристики при импульсном освещении в туннельных гетероструктурах GaAs/AlAs $p$–$i$–$n$-типа. Обнаружены квантовые осцилляции фотопроводимости в зависимости от напряжения смещения с не зависящим от длины световой волны периодом и осциллирующая компонента релаксационных кривых, обусловленная модуляцией темпа рекомбинации на крае треугольной квантовой ямы в нелегированном $i$-слое, так же как и в случае осцилляций фотопроводимости. Единая природа осцилляций стационарной фотопроводимости и релаксационных кривых при импульсном освещении непосредственно подтверждается отсутствием осциллирующей компоненты в обоих типах зависимостей части исследовавшихся $p$–$i$–$n$-гетероструктур. Одновременное подавление наблюдаемых осцилляций обoих типов зависимостей с повышением температуры до 80 K также подтверждает предлагаемый нами механизм их формирования. Исследованы зависимости этих осцилляций от магнитного поля и мощности светового излучения. Подавление амплитуды осцилляций в перпендикулярном току магнитном поле $\sim$2 Тл обусловлено влиянием силы Лоренца на баллистическое движение носителей в области треугольной квантовой ямы.