Аннотация:
Представлены результаты по разработке принципиальной конструкции и отработке технологических режимов выращивания гетероструктур одночастотных и двухчастотных квантово-каскадных лазеров. Гетероструктура двухчастотного квантово-каскадного лазера содержит каскады, излучающие на длинах волн 9.6 и 7.6 мкм. На основе предложенной гетероструктуры возможна реализация квантово-каскадного лазера, работающего на разностной частоте 8 ТГц. В качестве метода выращивания гетероструктур квантово-каскадного лазера применена молекулярно-пучковая эпитаксия. Методами рентгеновской дифракции и просвечивающей электронной микроскопии исследованы структурные свойства изготовленных гетероструктур. Продемонстрировано хорошее совпадение заданных и реализованных толщин эпитаксиальных слоев, высокая однородность химического состава и толщин эпитаксиальных слоев по площади гетероструктуры. Изготовлены полосковые квантово-каскадные лазеры и продемонстрирована их генерация на длине волны 9.6 мкм.
Поступила в редакцию: 19.10.2017 Принята в печать: 08.11.2017