RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 6, страницы 603–607 (Mi phts5809)

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Исследование свойств квантовых точек полупроводников A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$ и A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$

А. И. Михайлов, В. Ф. Кабанов, И. А. Горбачев, Е. Г. Глуховской

Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского

Аннотация: Проведено экспериментальное и теоретическое исследование особенностей электронного спектра квантовых точек полупроводниковых материалов групп A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ и A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$. Анализ исследуемых образцов позволил оценить положение первых трех уровней электронного спектра квантового объекта. Получено хорошее качественное и количественное согласование экспериментальных результатов с теоретической оценкой. Показано, что механизм наблюдавшегося тока автоэлектронной эмиссии через квантовую точку удовлетворительно описывается теорией Моргулиса–Стрэттона в условиях эксперимента.

Поступила в редакцию: 31.08.2017
Принята в печать: 25.09.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.06.45923.8443


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:6, 750–754

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024