Высокочувствительный фотодетектор на основе атомарно-тонкого MoS$_{2}$

Предложена конструкция высокочувствительного фотодетектора, в качестве функционального элемента которого используется монослой дихалькогенида переходного металла MoS$_{2}$, а также представлен поэтапный процесс его создания. Оценка качества и выборка функциональных кристаллитов MoS$_{2}$ осуществлялась на основе результатов комплексной оптической диагностики. Исследованы основные рабочие характеристики созданного устройства, и показано, что его фоточувствительность составляет 1.4 мА/Вт. Отличительной особенностью созданного устройства по сравнению с существующими аналогами является его высокая фоточувствительность при низких значениях рабочего напряжения (до $\pm$3 В).