Модель накопления зарядов в $n$- и $p$-МОП-транзисторах при туннельной инжекции электронов из затвора

Разработана количественная модель накопления зарядов в подзатворном диэлектрике при туннельной инжекции электронов из затвора по механизму Фаулера–Нордгейма. В модели учитывается захват электронов и дырок на безводородные и водородосодержащие ловушки, а также генерация поверхностных состояний при взаимодействии дырок с водородосодержащими центрами. На основе модели проанализированы экспериментальные зависимости сдвигов порогового напряжения и напряжения на затворе $n$- и $p$-канальных МОП-транзисторов от инжектируемого заряда в режиме постоянного тока.