RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 6, страницы 643–650 (Mi phts5816)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN

Т. В. Малинa, Д. С. Милахинa, В. Г. Мансуровa, Ю. Г. Галицынa, А. С. Кожуховa, В. В. Ратниковb, А. Н. Смирновb, В. Ю. Давыдовb, К. С. Журавлевac

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Новосибирский государственный университет

Аннотация: Изучено влияние атомарного алюминия, нанесенного на подложку сапфира, нитридизованную в разной степени, на качество слоев AlN, выращенных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии. Нитридизация сапфира с формированием на его поверхности $\sim$1 монослоя AlN обеспечивает рост слоев с более гладкой поверхностью и лучшего кристаллического качества по сравнению нитридизацией сапфира, приводящей к формированию нитридизованного слоя AlN толщиной $\sim$2 монослоя. Изменение времени экспонирования нитридизованных подложек в потоке атомарного алюминия существенного влияния на параметры последующих слоeв AlN не оказывает.

Поступила в редакцию: 04.04.2017
Принята в печать: 10.04.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.06.45930.8600


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:6, 789–796

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024