Лазерно-индуцированная модификация поверхности тонких пленок Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$: фазовые изменения и формирование периодических структур

На поверхности пленочных материалов с фазовой памятью на основе сложного халькогенида (Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$) под действием лазерных импульсов наносекундной длительности сформированы субмикронные периодические решетки. Геометрические характеристики и структурные свойства лазерно-индуцированных решеток исследованы с помощью оптической и атомно-силовой микроскопии, а также рамановской спектроскопии. Показано, что при специально подобранных параметрах лазерного воздействия в созданных структурах можно реализовать периодическую модуляцию показателя преломления, обусловленную застыванием после лазерного воздействия гребней и впадин решеток в разных фазовых состояниях, диэлектрические константы которых сильно отличаются друг от друга. Вблизи максимумов волнообразной структуры формируется преимущественно аморфное состояние, в то время как в области минимумов структура Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$ в основном соответствует кристаллической фазе.