RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 3, страницы 295–298 (Mi phts5887)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Электронные свойства полупроводников

Изоэлектронные центры кислорода и проводимость кристаллов CdS в сравнении с PbS

Н. К. Морозоваab, Б. Н. Мирошниковab

a Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт»
b Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН, Москва, Россия

Аннотация: Влияние кислорода на электрические свойства PbS широко известно. Целью данной работы было сопоставление и обнаружение этого явления в монокристаллах CdS(О), детально исследованных нами ранее. Эксперименты проведены на монокристаллах CdS с известной концентрацией кислорода, отклонением от стехиометрии и определенным набором собственных точечных дефектов. Они позволили подтвердить результаты, описанные для PbS, и выяснить их природу. Показано, что в основе явления лежит захват свободных носителей – электронов на акцептороподобных изоэлектронных центрах O$_{S}$ с последующим образованием ассоциатов сложной структуры. Подтверждены предшествующие выводы о механизме растворения кислорода в CdS с отклонениями от стехиометрии. Изменения электрических свойств в активированном кислородом PbS(О), как и в CdS(О), показали, что изоэлектронные кислородные центры O$_{S}$ присутствуют в сульфиде свинца.

Поступила в редакцию: 21.12.2016
Принята в печать: 26.12.2016

DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45611.8493


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:3, 278–281

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024