RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 3, страницы 299–303 (Mi phts5888)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электронные свойства полупроводников

Электронная структура четырехкомпонентных клатратных кристаллов системы Ba–Zn–Si–Ge

Н. А. Борщa, С. И. Курганскийb

a Воронежский государственный технический университет
b Воронежский государственный университет

Аннотация: Представлены результаты расчета электронной структуры четырехкомпонентных клатратных кристаллов на основе кремния и германия. Расчет проводился методом линеаризованных присоединенных плоских волн. Анализ результатов расчета позволил установить зависимость свойств кристаллов от соотношения числа атомов кремния и германия в элементарной ячейке, а также от положения замещающих атомов цинка.

Поступила в редакцию: 19.04.2017
Принята в печать: 31.08.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45612.8615a


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:3, 282–286

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024