Глубокие центры радиационных дефектов в монокристаллах CdZnTe, созданные потоком быстрых нейтронов

Исследовано влияние потока быстрых нейтронов ($\Phi$ = 10$^{14}$-10$^{15}$ см$^{-2}$) на электрофизические и фотолюминесцентные свойства монокристаллов $p$-CdZnTe. Проведен изотермический отжиг ($T$ = 400–500 K) и определена энергия активации диссоциации радиационных дефектов, которая оказалась равной $E_{D}\approx$ 0.75 эВ.