Образование радиационных дефектов в слабо легированных слоях $n$- и $p$-SiC при торможении протонов

Путем математического моделирования каскада смещения в SiC рассмотрены особенности генерации пар Френкеля при рассеянии протонов с энергией 8 и 15 МэВ. Рассчитаны гистограммы распределения энергий, полученных не только первично выбитыми атомами, но и атомами отдачи, генерируемыми в каскадах смещений. При анализе гистограмм рассмотрены две области энергий. В первой области “малых” энергий преобладает процесс спонтанной рекомбинации генетически родственных пар Френкеля. Атомы отдачи второй области обладают большей энергией, позволяющей покинуть зону спонтанной рекомбинации и диссоциировать на изолированные компоненты. Проведено экспериментальное исследование процесса компенсации слабо легированных образцов $n$- и $p$-4$H$-SiC, выращенных методом газофазовой эпитаксией, при облучении протонами с энергией 8 и15 МэВ. Измерены скорости удаления носителей заряда. Проведено сравнение расчетных и экспериментальных данных и получены оценки размеров зоны спонтанной рекомбинации.