RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 3, страницы 337–341 (Mi phts5894)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Влияние термических условий получения и обработки на оптические свойства пленок In$_{2}$O$_{3}$

А. А. Тихийa, Ю. М. Николаенкоa, Ю. И. Жихареваb, А. С. Корнеевецa, И. В. Жихаревa

a Донецкий физико-технический институт им. А. А. Галкина НАН Украины
b Государственный университет телекоммуникаций, Киев, Украина

Аннотация: Пленки In$_{2}$O$_{3}$ на положках Al$_{2}$O$_{3}$ (012) получены методом $dc$-магнетронного распыления при различных температурах (20–600$^\circ$C). Исследование влияния отжига и температуры подложки на свойства пленок производилось эллипсометрическим методом и методом оптического пропускания. Построены профили показателя преломления; найдены значения ширины запрещенной зоны для прямых и “непрямых” переходов. Установлено, что отжиг приводит к уплотнению материала пленок и унификации значений показателя преломления. Также отжиг понижает и унифицирует энергии переходов зона-зона, что можно объяснить уменьшением влияния барьеров в отожженных пленках. Однако ширина запрещенной зоны для прямых переходов изменяется сильнее, чем для “непрямых”. Это может быть связано с механизмом непрямых переходов – участие фононов облегчает межзонные переходы, даже если им препятствует наличие дополнительных барьеров, обусловленных границами зерен. Последнее может быть косвенным свидетельством реальности непрямых переходов в оксиде индия.

Поступила в редакцию: 29.03.2017
Принята в печать: 17.04.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45618.8596


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:3, 320–323

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024