RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 3, страницы 342–348 (Mi phts5895)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Особенности оптических характеристик пористого кремния и их модификация с использованием химической обработки поверхности

А. С. Леньшин

Воронежский государственный университет

Аннотация: Методами инфракрасной и фотолюминесцентной спектроскопии проведены сравнительные исследования особенностей состава и оптических свойств пористого кремния различной морфологии. На основе полученных экспериментальных данных и общепринятых теоретических моделей показаны основные факторы, негативно влияющие на интенсивность фотолюминесценции пористого кремния и ее деградацию под действием направленного излучения в видимом диапазоне. На примере пористого кремния с размерами пор 50–100 нм показана возможность улучшения указанных характеристик химической обработкой в полиакриловой кислоте.

Поступила в редакцию: 09.01.2017
Принята в печать: 19.04.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45619.8462


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:3, 324–330

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024