RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 3, страницы 349–352 (Mi phts5896)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Влияние малых доз гамма-излучения на оптические свойства пористого кремния

Д. И. Биленко, О. Я. Белобровая, Д. В. Терин, В. В. Галушка, И. В. Галушка, Э. А. Жаркова, В. П. Полянская, В. И. Сидоров, И. Т. Ягудин

Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского

Аннотация: Показана возможность модификации фотолюминесцентных свойств пористого кремния при облучении малыми дозами $\gamma$-квантов радиоизотопного источника $^{226}$Ra и тормозного излучения. Положение максимальной длины волны фотолюминесценции (PL) имеет тенденцию сдвига в коротковолновую область спектра, эффективность излучения (PL) растет как при облучении подложки, так и образующегося слоя.

Поступила в редакцию: 01.03.2017
Принята в печать: 29.06.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45620.8570


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:3, 331–334

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024