Полевой транзистор на протонной проводимости пленок оксида графена и нафиона

В модели полевого транзистора исследована протонная проводимость в пленках оксида графена и нафиона в зависимости от влажности и напряжений на электродах. Электрические характеристики пленок подобны друг другу, но подвижность положительных зарядов в нафионе и усиление тока на 2–3 порядка выше, чем в оксиде графена. В пленках оксида графена отрицательно-ионный ток при положительном напряжении смещения составляет заметную величину от протонного (до $\sim$10%), в то время как в пленках нафиона он практически отсутствует ($<$ 1%).