Механизм и закономерность снижения светового потока светодиодов на основе структур AlGaN/InGaN/GaN с квантовыми ямами при длительном протекании прямого тока различной плотности

Установлен механизм снижения светового потока светодиодов на основе гетеростуктур AlGaN/InGaN/GaN с квантовыми ямами. Уменьшение светового потока связано с генерацией точечных дефектов в активной области гетероструктур вследствие взаимодействия кристаллической решетки полупроводника с горячими носителями заряда, образующимися в режиме отклонения вольт-амперной зависимости от экспоненты. Получено аналитическое выражение закономерности спада светового потока в процессе длительного протекания тока, которое подтверждается экспериментальными результатами. Показано, что на ход зависимости светового потока от времени работы в значительной степени влияет неоднородность распределения индия в квантовых ямах.