Фотолюминесцентные исследования легированных кремнием эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А при пониженных температурах

Исследованы электрофизические свойства и особенности фотолюминесценции однородно легированных атомами Si слоев GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с кристаллографической ориентацией поверхности (100) и (111)А. Исследуемые образцы выращивались при одинаковом давлении As$_{4}$ в интервале температур роста от 350 до 510$^\circ$C. Образцы на подложках GaAs (100) имеют $n$-тип проводимости во всем указанном интервале температур роста, а образцы на подложках GaAs (111)A имеют $p$-тип проводимости в интервале температур роста 430–510$^\circ$C. Спектры фотолюминесценции образцов содержат краевую и примесную полосы. Краевая фотолюминесценция соответствует фотолюминесценции вырожденного GaAs с $n$- и $p$-типом проводимости. Примесную фотолюминесценцию образцов на подложках GaAs (100) в диапазоне 1.30–1.45 эВ мы приписываем дефектам $V_{\mathrm{As}}$ и комплексам дефектов Si$_{\mathrm{As}}$–$V_{\mathrm{As}}$, концентрация которых изменяется с температурой роста образцов. Трансформация спектров примесной фотолюминесценции образцов на подложках GaAs (111)А интерпретирована как обусловленная изменением концентрации дефектов $V_{\mathrm{As}}$ и $V_{\mathrm{Ga}}$ при изменении температуры роста образцов.