Формирование ступенчатой поверхности Si(100) и ее влияние на рост островков Ge

Исследован переход от двухдоменной к однодоменной поверхности на подложке Si(100). Показано с использованием дифракции быстрых электронов, что при температуре 600$^\circ$С и при со скорости осаждения 0.652 $\mathring{\mathrm{A}}$/с предварительно нагретую до 1000$^\circ$С подложку Si(100), отклоненную к плоскости (111) на угол 0.35$^\circ$, при неизменном потоке Si происходит полное исчезновение серии рефлексов от сверхструктуры 1 $\times$ 2. Исчезновение рефлексов сверхструктуры 1 $\times$ 2 обусловлено переходом поверхности от моноатомных к двухатомным ступенькам. При скоростях роста менее 0.652 $\mathring{\mathrm{A}}$/с также наблюдался переход от двухдоменной к однодоменной поверхности и с уменьшением скорости роста отношение интенсивностей $I_{2\times1}/I_{1\times2}$ уменьшается, максимум зависимостей сдвигается в сторону меньших температур. Полного исчезновения серии рефлексов от сверхструктуры при предварительном отжиге при температурe 700$^\circ$С не наблюдалось, но наблюдалось только при предварительном отжиге при температурax 900 и 1000$^\circ$С. Исследования роста островков Ge проводились на поверхности Si(100), которая предварительно отжигалась при температуре 800$^\circ$С. Показано, что островки имеют тенденцию зарождаться на краях ступенек. Предложен механизм упорядочения островков Ge на поверхности Si(100).