RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 2, страницы 161–166 (Mi phts5910)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Электронные свойства полупроводников

Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в области перехода к режиму с постоянной длиной прыжка

М. А. Ормонт, И. П. Звягин

Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова

Аннотация: Исследовано влияние эффектов гибридизации электронных состояний на высокочастотную проводимость неупорядоченных полупроводников. Показано, что зависимость предэкспоненциального множителя резонансного интеграла от межцентрового расстояния в паре обусловливает резкость смены механизмов проводимости в окрестности перехода частотной зависимости вещественной части проводимости $\sigma_{1}(\omega)$ от сублинейной к квадратичной. Резкость смены режимов проводимости связана с быстрым уменьшением длины прыжка с ростом частоты в окрестности кроссовера, что приводит к существенному относительному уменьшению вклада от бесфононной компоненты проводимости в режиме с переменной длиной прыжка с ростом частоты и переходу к режиму проводимости с постоянной длиной прыжка.

Поступила в редакцию: 27.02.2017
Принята в печать: 22.05.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45437.8566


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:2, 150–155

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024