RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 2, страницы 184–188 (Mi phts5914)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Исследование длинноволновых инфракрасных спектров отражения моно- и поликристаллов SmS в области гомогенности

Ю. В. Улашкевичab, В. В. Каминскийb, М. В. Романоваb, Н. В. Шаренковаb

a Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Зарегистрированы и проанализированы спектры отражения в дальней и средней инфракрасных областях образцов Sm$_{1+x}$S ($x$ = 0–0.17), а также их электрические и структурные параметры при температуре $T$ = 300 K. Показано, что степень ионности связи в SmS уменьшается по мере уменьшения величины области когерентного рассеяния рентгеновского излучения, увеличения концентрации донорных примесей и, как следствие, концентрации электронов проводимости. В моно- и поликристаллах SmS стехиометрического состава электропроводность может с точностью 10% определяться из инфракрасных спектров отражения. При отклонении от стехиометрии повышенная дефектность образцов не дает возможности определять электропроводность.

Поступила в редакцию: 23.05.2017
Принята в печать: 31.05.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45441.8656


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:2, 172–176

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024