Электронный транспорт в квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs РНЕМТ при различных температурах: влияние одностороннего дельта-легирования Si

Исследовано влияние концентрации $\delta$-легирования кремнием на электронные транспортные свойства псевдоморфных квантовых ям Al$_{0.25}$Ga$_{0.75}$As/In$_{0.2}$Ga$_{0.8}$As/GaAs в широком интервале температур 4.2–300 K. Обнаружено снижение эффективности легирования при концентрации электронов $>$ 1.8 $\cdot$ 10$^{12}$ см$^{-2}$, обусловленное эффектами неполной ионизации примеси, что отражается также на температурной зависимости концентрации электронов. Наблюдается немонотонное изменение подвижности электронов с ростом концентрации доноров, не связанное с заполнением верхней подзоны размерного квантования. Возрастание подвижности связано с ростом импульса Ферми и экранированием, а последующий еe спад при увеличении концентрации кремния обусловлен туннельной деградацией спейсерного слоя при понижении потенциала зоны проводимости в области $\delta$-слоя Si.