RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 2, страницы 238–242 (Mi phts5922)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Углеродные системы

Расширенная модель Холстейна–Хаббарда для эпитаксиального графена на металле

С. Ю. Давыдовab

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Предложена модель, объединяющая расширенную модель Хаббарда, включающую внутриатомное и межатомное кулоновское отталкивание, и модель Холстейна, описывающую взаимодействие зонного электрона с эйнштейновским фононом. Рассмотрены три области фазовой диаграммы: волны спиновой и зарядовой плотностей и однородное по спину и заряду состояние. Численные оценки для подложек Rh, Ir и Pt показывают, что кулоновское взаимодействие играет ведущую роль, создавая возможность переходов из однородного состояния в состояния волн спиновой и зарядовой плотности состояний.

Поступила в редакцию: 15.03.2017
Принята в печать: 30.03.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45449.8581


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:2, 226–230

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024