RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 2, страницы 243–247 (Mi phts5923)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Углеродные системы

Оптимизация параметров поликристаллических фоторезисторов на основе PbS

Б. Н. Мирошниковab, И. Н. Мирошниковаab, А. И. Поповab

a Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт»
b Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН, Москва, Россия

Аннотация: Представлены результаты исследования фоточувствительных элементов на основе поликристаллических слоев сульфида свинца. Они позволили рассмотреть влияние гетерогенных реакций на границах кристаллит–окружающая среда на характеристики фоточувствительного элемента. Показано, что путем термообработки в вакууме можно существенно изменить параметры уже сформированных структур, оптимизируя их применительно к конкретным оптико-электронным системам. Предложена модель, объясняющая природу явлений.

Поступила в редакцию: 11.05.2017
Принята в печать: 22.06.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45450.8639


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:2, 231–235

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024