RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 2, страницы 266–271 (Mi phts5927)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Электрическая активность протяженных дефектов в мультикремнии

С. М. Пещероваa, Е. Б. Якимовb, А. И. Непомнящихa, Л. А. Павловаa, О. В. Феклисоваb, Р. В. Пресняковa

a Институт геохимии им. Виноградова СО РАН, Иркутск, Россия
b Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Россия

Аннотация: Проведены исследования по распределению времени жизни неравновесных носителей заряда $(\tau)$ в мультикристаллическом кремнии (мультикремнии), выращенном методом Бриджмена из высокочистого рафинированного металлургического кремния. Выявлены закономерности изменения $\tau$, обусловленные особенностями зеренно-граничной структуры слитков. Границы зерен, дислокации и примесные микровключения исследовали методами рентгеноспектрального электронно-зондового микроанализа (РСМА/EPMA) и электронной микроскопии (РЭМ/SEM) с применением селективного кислотного травления. Электрическую активность протяженных дефектов регистрировали методом наведенного тока (НТ/EBIC).

Поступила в редакцию: 09.02.2017
Принята в печать: 16.02.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45454.8546


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:2, 254–259

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024