RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 2, страницы 272–275 (Mi phts5928)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Люминесцентные свойства тонких пленок Cd$_{x}$Zn$_{1-x}$O

А. А. Лотин, О. А. Новодворский, Л. С. Паршина, О. Д. Храмова, Е. А. Черебыло, В. А. Михалевский

Институт проблем лазерных и информационных технологий – филиал ФНИЦ "Кристаллогр­афия и фотоника" РАН, Шатура, Россия

Аннотация: Методом импульсного лазерного осаждения синтезированы тонкие пленки Cd$_{x}$Zn$_{1-x}$O в диапазоне концентраций кадмия от 0 до 35 ат% на подложках сапфира $c$-среза. Достигнут рекордный предел растворимости Cd 30 ат% в пленках Cd$_{x}$Zn$_{1-x}$O со структурой вюрцита. В низкотемпературных спектрах фотолюминесценции (при 10 K) пленок Cd$_{0.15}$Zn$_{0.85}$O и Cd$_{0.3}$Zn$_{0.7}$O помимо экситонного наблюдались дополнительные пики, природой которых является неоднородное распределение кадмия в образцах. Мы наблюдали немонотонную ($S$-образную) температурную зависимость спектрального положения экситонного пика фотолюминесценции пленок Cd$_{x}$Zn$_{1-x}$O, связанную с эффектом локализации носителей заряда.

Поступила в редакцию: 11.05.2017
Принята в печать: 22.05.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45455.8638


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:2, 260–263

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024