RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 1, страницы 35–37 (Mi phts5937)

Электронные свойства полупроводников

Влияние гидростатического давления на статическую диэлектрическую проницаемость германия

А. М. Мусаев

Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, Махачкала, Россия

Аннотация: Экспериментально исследована зависимость статической диэлектрической проницаемости монокристаллического германия от гидростатического давления до $P\approx$ 7.4 ГПа. При росте давления до $P\approx$ 4 ГПа, диэлектрическая проницаемость Ge уменьшается в $\sim$13 раз до значения $\varepsilon$ = 1.22. При дальнейшем росте давления до $P\approx$ 7 ГПа наблюдается умеренный рост varepsilon до исходного значения, а в диапазоне 7–7.4 ГПа диэлектрическая проницаемость возрастает до значения более 1000 единиц. Полученные экспериментальные результаты существенно отличаются от ранее известных зависимостей.

Поступила в редакцию: 28.06.2016
Принята в печать: 22.05.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45315.8359


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:1, 31–33

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024