RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 1, страницы 35–37 (Mi phts5937)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Электронные свойства полупроводников

Влияние гидростатического давления на статическую диэлектрическую проницаемость германия

А. М. Мусаев

Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, Махачкала, Россия

Аннотация: Экспериментально исследована зависимость статической диэлектрической проницаемости монокристаллического германия от гидростатического давления до $P\approx$ 7.4 ГПа. При росте давления до $P\approx$ 4 ГПа, диэлектрическая проницаемость Ge уменьшается в $\sim$13 раз до значения $\varepsilon$ = 1.22. При дальнейшем росте давления до $P\approx$ 7 ГПа наблюдается умеренный рост varepsilon до исходного значения, а в диапазоне 7–7.4 ГПа диэлектрическая проницаемость возрастает до значения более 1000 единиц. Полученные экспериментальные результаты существенно отличаются от ранее известных зависимостей.

Поступила в редакцию: 28.06.2016
Принята в печать: 22.05.2017

DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45315.8359


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2018, 52:1, 31–33

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025