Механизм фазового перехода полупроводник-металл в тонких пленках состава Sm$_{1-x}$ Gd$_{x}$S

Исследовано влияние концентрации гадолиния на фазовый переход полупроводник-металл в тонких поликристаллических пленках состава Sm$_{1-x}$Gd$_{x}$S, полученных методом взрывного испарения порошка в вакууме. Показано, что основным фактором физического механизма фазового перехода является сжатие материала пленки и что пленки сохраняют свои полупроводниковые свойства лишь до концентрации гадолиния $x$ = 0.12.